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INS2001W

發(fā)布時間:2025-05-06 14:56:37   點擊量:

  • INS2001W
品牌:英諾賽科Innoscience
型號: INS2001W
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INS2001W 是一款高性能的 100V 半橋驅動器,專門設計用于高效驅動氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)。它提供獨立的高端和低端邏輯輸入,以及用于精確控制開啟/關閉速度的分流輸出。 該驅動器具有強大的驅動能力,上拉電阻為 1Ω,下拉電阻為 0.2Ω。 內部集成的智能引導開關(BST)可以在死區(qū)時間內有效防止高側浮動電源 BST 電容過充,從而保護 GaN FET 的柵極,并確保兩側 GaN FET 的柵極電壓保持一致。

INS2001W .jpg

INS2001W 具備快速的傳播延遲(典型值 14ns)和出色的延遲匹配(典型值 1ns),這使得它非常適合高頻應用。 它支持高達 100V DC 的高壓側浮動電源操作。 為了確保系統(tǒng)的可靠性,INS2001W 內置了多種保護功能,包括欠壓鎖定(UVLO)、過壓鎖定(OVLO)和過溫保護(OTP)。 此外,它還具有低至 35μA 的 VCC 靜態(tài)電流。 INS2001W 采用緊湊的 WLCSP 1.62mmx1.62mm 封裝。


這款驅動器廣泛應用于各種電力電子領域,包括半橋和全橋轉換器、高壓同步 DC-DC 轉換器以及需要高頻率和高功率密度的應用。 它也適用于 48V 直流電機驅動、大功率 D 類音頻功率放大器以及汽車領域的 48V/12V 雙向 DC-DC 轉換器。 INS2001W 解決了傳統(tǒng) MOSFET 驅動方案在驅動 GaN FET 時面臨的諸多挑戰(zhàn)。 英諾賽科還提供了其他 GaN 驅動器產品,例如單通道驅動器 INS1001DE 和半橋驅動器 INS2001FQ,以豐富氮化鎵應用生態(tài)。 這些驅動器針對不同電壓等級的氮化鎵功率器件進行了優(yōu)化,可為數據中心、汽車電子、太陽能微逆等領域提供高性能解決方案。

INS2001W_Datasheet_Rev_1.0.pdf


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